■產(chǎn)品名稱：FQP6N40C
■功能名稱：N溝道MOSFET
■概要:
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋和 DMOS 專屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進 MOSFET 技術(shù)適用于降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。
■特征：
●6A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω（最大值） @VGS = 10 V, ID = 3A柵極電荷低（典型值：16nC)
●低 Crss（典型值15pF)
●100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
●100% avalanche tested
