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  • 產(chǎn)品名稱：
    M24C02-RMN6TP 2 Kbit串行I2C總線EEPROM
  • 功能名稱：
    2 Kbit串行I2
  • 概要：

    ■產(chǎn)品名稱：M24C02-RMN6TP

    ■功能名稱：2 Kbit串行I2C總線EEPROM

    ■概要:

     

    M24C01(C02) 是 1(2)-Kbit I 2 C 兼容 EEPROM（電可擦可編程存儲(chǔ)器），以 128 (256) × 8 位的形式組織。M24C01/02-W 可通過(guò) 2.5 V 至 5.5 V 的電源電壓訪問(wèn)，M24C01/02-R 可通過(guò) 1.8 V 至 5.5 V 的電源電壓訪問(wèn)，M24C02-F 可通過(guò)以下任一方式訪問(wèn)1.7 V 至 5.5 V 的電源電壓（在整個(gè)溫度范圍內(nèi)）或在某些限制條件下具有 1.6 V 至 5.5 V 的擴(kuò)展電源電壓。這些器件以 400 kHz 的最大時(shí)鐘頻率運(yùn)行。

     
    ■特征：

     
      • ●兼容以下 I 2 C 總線模式：
        400kHz
        100kHz
        ●內(nèi)存陣列：
        1 Kbit（128 字節(jié)）的 EEPROM
        2 Kbit（256 字節(jié)）的 EEPROM
        頁(yè)面大小：16 字節(jié)
        ●單電源電壓：
        M24C01/02-W：2.5V 至 5.5V
        M24C01/02-R：1.8 V 至 5.5 V
        M24C02-F：1.7 V 至 5.5 V 1.6 V 至 5.5 V（在溫度限制下）
        ●寫：
        5 ms 內(nèi)的字節(jié)寫入
        5 ms 內(nèi)的頁(yè)面寫入
        ●工作溫度范圍：
        從 -40 °C 到 +85 °C
        ●隨機(jī)和順序讀取模式
        ●整個(gè)內(nèi)存陣列的寫保護(hù)
        ●增強(qiáng)的 ESD/閂鎖保護(hù)
        ●超過(guò) 400 萬(wàn)次寫入周期
        ●超過(guò) 200 年的數(shù)據(jù)保留
         
         
  • 特征：

    • M24C02-RMN6TP 2 Kbit串行I2C總線EEPROM
  • 技術(shù)資料下載：