TLC27L2 和 TLC27L7 雙路運算放大器將各種輸入失調(diào)電壓等級與低失調(diào)電壓漂移、高輸入阻抗、極低功率和高增益相結(jié)合。
這些器件使用德州儀器 (TI) 的硅柵 LinCMOS™ 技術(shù)，該技術(shù)提供的偏移電壓穩(wěn)定性遠遠超過傳統(tǒng)金屬柵工藝的穩(wěn)定性。
極高的輸入阻抗、低偏置電流和低功耗使這些具有成本效益的器件成為高增益、低頻、低功率應用的理想選擇。提供四種失調(diào)電壓等級（C 后綴和 I 后綴類型），從低成本 TLC27L2 (10 mV) 到高精度 TLC27L7 (500 µV)。這些優(yōu)勢與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結(jié)合，使這些器件成為最新設計以及升級現(xiàn)有設計的理想選擇。
一般而言，LinCMOS™ 運算放大器具有許多與雙極技術(shù)相關的特性，而沒有雙極技術(shù)的功率損失。使用 TLC27L2 和 TLC27L7 可以輕松設計傳感器接口、模擬計算、放大器模塊、有源濾波器和信號緩沖等一般應用。這些器件還具有低電壓單電源操作和超低功耗，非常適合遠程和難以接近的電池供電應用。共模輸入電壓范圍包括負軌。
提供多種封裝選項，包括用于高密度系統(tǒng)應用的小外形和芯片載體版本。
該器件的輸入和輸出旨在承受 -100-mA 浪涌電流，而不會持續(xù)閂鎖。
TLC27L2 和 TLC27L7 包含內(nèi)部 ESD 保護電路，可防止在高達 2000 V 的電壓下發(fā)生功能故障，根據(jù) MIL-STD-883C 方法 3015.2 進行測試；但是，在處理這些器件時應小心謹慎，因為暴露于 ESD 可能會導致器件參數(shù)性能下降。
C-Suffix 器件的特點是在 0°C 至 70°C 的溫度范圍內(nèi)工作。I 后綴器件的特點是在 -40°C 至 85°C 的溫度范圍內(nèi)工作。M 后綴器件的特點是可在 -55°C 至 125°C 的整個軍用溫度范圍內(nèi)工作。
Typ
