●4線(xiàn)保護(hù)
●峰值反向電壓:每個(gè)二極管V RRM = 9 V
●每個(gè)二極管的電容非常低:C < 5 pF
●極低的漏電流:I R < 1 μA
●好處
與離散解決方案相比具有成本效益的解決方案
ESD抑制效率高
由于電容非常低,沒(méi)有明顯的信號(hào)失真
單片集成提供的高可靠性
與分立解決方案相比,PCB 面積消耗更低
符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
●符合以下標(biāo)準(zhǔn)
ISO10605 - C = 150 pF,R = 330 Ω:
15 kV(空氣放電)
8 kV(接觸放電)
ISO10605 - C = 330 pF,R = 330 Ω
8 kV(空氣放電)
8 kV(接觸放電)
ISO7637-3:
脈沖 3a:V s = -150V
脈沖 3b:V s = +100V