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MUSES頂級(jí)運(yùn)放IC系列MUSES8820,MUSES8920-JRC品牌

 

   新日本無(wú)線在音質(zhì)方面一直堅(jiān)持「提高音質(zhì)感」、「再現(xiàn)空間的擴(kuò)展性」,結(jié)合電路技術(shù)、繪圖設(shè)計(jì)技術(shù)、新日本無(wú)線的音頻IC技術(shù),以至于精選框架的材質(zhì),從而成功開發(fā)出了MUSES系列產(chǎn)品。MUSES旗艦版是一款在沒有考慮阻礙提高音質(zhì)的材料、芯片尺寸、生產(chǎn)性等方面,而只為追求高音質(zhì)而開發(fā)的半導(dǎo)體器件。

 

  為了能夠搭載到更多的音響設(shè)備上,為了能夠向更多的音樂粉絲們提供"真實(shí) 的   聲音",成功開發(fā)出了MUSES系列之一的量產(chǎn)型產(chǎn)品MUSES8820。

  MUSES8820沿襲了MUSES01/02所追求的高音質(zhì)開發(fā)觀念,實(shí)現(xiàn)了芯片和框架   材料的最佳化,提高了生產(chǎn)能力及降低了成本,是一款以雙極形式輸入的2電路   運(yùn)算放大器。該產(chǎn)品除了採(cǎi)用了MUSES01/02的DIP封裝(雙列直插式)之外,還     考慮到了提高音響設(shè)備廠家的量產(chǎn)能力,以及為減輕環(huán)境污染利于環(huán)保,採(cǎi)用       了無(wú)鉛/無(wú)鹵化物的表面貼裝型封裝(EMP8)。

 MUSES8820能夠再現(xiàn)只有在交響音樂會(huì)現(xiàn)場(chǎng)才能夠體驗(yàn)到的"管弦樂隊(duì)的震撼性與臨場(chǎng)感",以及只有在時(shí)尚俱樂部才能夠感受到的"演奏者急促的呼吸"等等"真實(shí)的聲音",它確實(shí)是一款最適于高檔音響設(shè)備的量產(chǎn)類型。

                                   
                                產(chǎn)品性能及特征

工作電源電壓  Vopr= ±3.5V ~ ±16V
低噪聲 4.5nV/√Hz
輸入失調(diào)電壓 VIO= 0.3mV typ. 3mV max.
輸入偏置電流 IB= 100nA typ. 500nA max. @Ta=25°C
電壓增益 Av=110dB typ.
電壓轉(zhuǎn)換速率 SR=5V/μs typ.
雙極構(gòu)造  
封裝 DIP8
(實(shí)裝面積8.8×6.4×6.75mm)
SOP8 JEDEC 150mil
(實(shí)裝面積5.0×6.0×1.65 mm typ.)
應(yīng)用 高級(jí)音響設(shè)備/專業(yè)音響設(shè)備

 

 

  MUSES8920是一款2電路、J-FET輸入形式的運(yùn)放,是為了應(yīng)用于更多  的音響設(shè)備和讓更多的音響迷們感受到“真實(shí)的聲音”而進(jìn)一步開發(fā)的MUSES  系列量產(chǎn)型產(chǎn)品。此產(chǎn)品一直沿襲著MUSES系列所追求的高音質(zhì)開發(fā)理  念,  既實(shí) 現(xiàn)了高清亮立體聲音效又獲得了高量產(chǎn)性。

   MUSES8920重新調(diào)整了布線設(shè)計(jì)、材料等,和現(xiàn)有的MUSES系列產(chǎn)品一  樣 經(jīng)過徹底反復(fù)的試聽而開發(fā)制成的。毫不含有任何偏好的音頻制作使之適  合于多種風(fēng)格的音樂,所以能夠讓更多的音響迷們體驗(yàn)到真正的高音質(zhì)。

    此外,封裝上除了一般所用的DIP封裝(雙列直插式)之外,還增加了一種能  對(duì)應(yīng)無(wú)鉛/無(wú)鹵化物的表面實(shí)裝型封裝(SOP8 JEDEC 150mil),該封裝具  有提高音響設(shè)備廠家量產(chǎn)性和有利于環(huán)保性的特點(diǎn)。

                                             

                                           產(chǎn)品性能及特征

工作電源電壓 Vopr= ±3.5V ~ ±16V
低噪聲 8nV/√ Hz typ.
輸入失調(diào)電壓 VIO= 0.8mV typ. 5mV max.
輸入偏置電流 IB= 5pA typ. 250pA max. @Ta=25°C
電壓增益 Av=135dB typ.
電壓轉(zhuǎn)換速率 SR=25V/μs typ.
J-FET構(gòu)造  
封裝 DIP8
(實(shí)裝面積8.8×6.4×6.75mm)
SOP8 JEDEC 150mil
(實(shí)裝面積5.0×6.0×1.65 mm typ.)
應(yīng)用 高級(jí)音響設(shè)備/專業(yè)音響設(shè)備