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MSP430FR5989IRGCT具有擴展掃描接口、AES 用于流量計的旋轉(zhuǎn)傳感 MCU

產(chǎn)品型號:MSP430FR5989IRGCT

產(chǎn)品品牌:TI


產(chǎn)品封裝:WQFN-

 
產(chǎn)品功能:傳感器
 
MSP430FR5989IRGCT  說明
 
MSP430™ 超低功耗 (ULP) FRAM 平臺結(jié)合了獨特的嵌入式 FRAM 和整體超低功耗系統(tǒng)架構(gòu),使創(chuàng)新者能夠以更低的能源預算提高性能。FRAM 技術(shù)將 SRAM 的速度、靈活性和耐用性與閃存的穩(wěn)定性和可靠性相結(jié)合,而且功耗要低得多。
 
MSP430 ULP FRAM 產(chǎn)品組合由一組多樣化的器件組成,這些器件具有 FRAM、ULP 16 位 MSP430 CPU 和針對各種應用的智能外設(shè)。ULP 架構(gòu)展示了七種低功耗模式,這些模式經(jīng)過優(yōu)化,可在高能耗應用中延長電池壽命。                   
MSP430FR5989IRGCT 特征
 
嵌入式微控制器高達 16MHz 時鐘的 16 位 RISC 架構(gòu)
 
3.6 V 至 1.8 V 的寬電源電壓范圍(最小電源電壓受 SVS 電平限制,請參閱 SVS 規(guī)范)
 
優(yōu)化的超低功耗模式活動模式:大約 100 µA/MHz
 
待機(帶 VLO 的 LPM3):0.4 µA(典型值)
 
實時時鐘 (RTC) (LPM3.5):0.35 µA(典型值)(1)
 
關(guān)斷 (LPM4.5):0.02 µA(典型值)
 
超低功耗鐵電 RAM (FRAM)高達 128KB 的非易失性存儲器
 
超低功耗寫入
 
每個字 125 ns 的快速寫入(4 ms 內(nèi) 64KB)
 
統(tǒng)一內(nèi)存 = 程序 + 數(shù)據(jù) + 單一空間中的存儲
 
10 15寫周期耐久性
 
抗輻射和非磁性
 
智能數(shù)字外設(shè)32 位硬件乘法器 (MPY)
 
三通道內(nèi)部直接存儲器訪問 (DMA)
 
具有日歷和鬧鐘功能的 RTC
 
五個 16 位定時器,每個定時器具有多達 7 個捕捉/比較寄存器
 
16 位和 32 位循環(huán)冗余校驗器(CRC16、CRC32)
 
高性能模擬用于背景水、熱量和氣體體積測量的擴展掃描接口 (ESI)
 
16 通道模擬比較器
封裝圖
 

公眾號/視頻號


 
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